2023-04-26 23:22:34
浏览:
在圆明亮式琢型钻石的评价内容中,修饰度(包括刻面的对称性和抛光质量)的评价争议性不大,争议的焦点主要集中在圆钻的比例上(包括台宽比、冠高比、腰厚比、亭深比、底尖比、全深比、星刻面长度比、下腰面长度比)。在圆钻的比例问题上,没有产生一个大家都认同的共同标准,在不同的国家和地区,钻石分级所执行的标准有所不同,因而出现了多个“理想琢型”。
1.美国理想琢型 美国理想琢型(American Brilliant Cut),1919年,由现代圆明亮式琢型的奠基人--美国人曼塞尔·托克瓦斯基(Marcel Tolkowsky),根据光学原理经过数学计算设计而成。其标准比例为:台宽比53%,冠高比16.2%,冠角34°30’,亭深比43.1%,亭角40°45’。

2.实用完美琢型 实用完美琢型(Practical Fine Cut),由德国人艾普洛(W.E.Eppler),于1949年设计发明。其标准比例为:台宽比56%,冠高比14.4%,冠角33°10’,亭深比43.2%,亭角40°50’。目前在欧洲,质量较好的钻石多加工成这种琢型。因此,这种琢型又被称为欧洲宾美琢型(European Fine Cut)。

3.国际钻石委员会琢型 国际钻石委员会琢型(IDC Cut),由国际钻石委员会设计推出。其标准比例为:台宽比56%~66%,冠高比11.0%~15.0%,冠角31°0'~37°0’,亭深比41.0%~45.0%,亭角39°40'~37°0’。

4.斯堪的纳维亚琢型 斯堪的纳维亚琢型(ScanD.N.Cut),1970年,由斯堪的纳维亚钻石委员会设计推出。其标准比例为:台宽比57.5%,冠高比14.6%,冠角34°30’,事深比43.1%,亭角40°50’。

由于上述各琢型的标准并不一致,导致了世界上不同钻石分级体系中,对切工评价的分歧是最多的。IDC、HRD切工比率的分级标准中,提出了很好、好、一般(或中等)、差的等级评价规则。
GIA根据切工比率和修饰度,提出了1、2、3、4等级评价规则;
测量项目 级别 | 1 | 2 | 3 | 4 |
台宽比/% | 53-60 | 61-64 | 65-75/51-52 | >70/<50 |
冠角/(°) | 34-35 | 32-34 | 30-32/37 | >37/<30 |
腰厚比 | 中-稍厚 | 薄或厚 | 很薄或很厚 | 极薄或极厚 |
亭深比/% | 43 | 42/44 | 41/45-46 | >46/<41 |
底尖比 | 无-中 | 稍大 | 大 | 很大 |
CIBJO则没有类似的等级规定,倾向于描述钻石的比例和修饰度,但不评价。 圆钻的最佳比例虽然没有取得一致的意见,但是,对差的比传列却有共识。例如,亭部过浅的“鱼眼石”和亭部过没深的“黑底石”,都是比例不好的典型例子。因为,这类琢型的钻石明亮度受到极大影响 在钻石评价时要在备注中予以注明。

MPCVD 单晶金刚石晶片:从气相沉积到成品晶片完整加工流程解析
MPCVD微波等离子体化学气相沉积技术,是目前制备高品质单晶金刚石晶片的核心工艺,凭借低缺陷、高纯度、大尺寸可控的优势,广泛应用于半导体散热、精密光学、高端传感器等领域。单晶金刚石晶片的成品品质,取决于从气相沉积生长到后道精密加工的全流程管控,每一道工序的精度把控,都直接决定晶片的平整度、透光性、导热性与使用寿命。本文完整拆解MPCVD单晶金刚石晶片从原料沉积到成品交付的全加工链路。
大单晶还是多晶?金刚石未来的应用方向值得讨论
随着金刚石逐渐进入半导体、热管理、光学、高功率电子以及精密加工等领域,市场对金刚石材料的尺寸、质量和加工能力也提出了更高的要求。 一个值得讨论的问题是:未来的大尺寸金刚石应用,大单晶和多晶哪一种更有潜力?
金刚石抛磨工艺:核心难点与产业挑战
金刚石被誉为 “终极材料”—— 莫氏硬度 10 级、超高热导率(约 2200 W/(m・K))、优异的化学稳定性和广谱透光性,使其在半导体散热、高端光学器件、量子芯片等前沿领域不可替代。然而,“好材料难加工” 这一悖论在金刚石身上体现得淋漓尽致。抛磨工艺从粗磨找平到原子级精抛,每一步都面临精度、效率与损伤控制的多重博弈。
单晶与多晶CVD金刚石,真正的工艺差异不在设备,在生长逻辑
单晶与多晶CVD金刚石是生长机理、晶格结构、性能体系完全独立的两种功能性新材料,二者的工艺逻辑、产品特性、应用边界从沉积生长之初就已彻底分化。脱离底层晶体结构的对比与选型,极易造成高端场景材料错配、量产场景性能高估等问题,制约产品应用价值落地。