2024-01-26 09:13:15
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相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料。然而由于可获得单晶金刚石的尺寸较小,且价格昂贵,极大地阻碍了金刚石的发展。历经长时间的探索,异质外延生长技术成为了获得高质量、大面积单晶金刚石的有效手段。
近日,西安交通大学研究团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的批量化(如上图所示)。通过对成膜均匀性、温场及流场的有效调控,提高了异质外延单晶金刚石成品率。衬底表面具有台阶流(step-flow)生长模式(如下图所示),可降低衬底的缺陷密度,提高晶体质量。XRD(004)、(311)摇摆曲线半峰宽分别小于91 arcsec和111 arcsec(如下图所示),达到世界领先水平。


该方法利用微波等离子体激发反应气体,在较低的温度和压力下实现异质外延单晶金刚石的生长。与传统的制备方法相比,该方法具有更高的生长速率和更低的成本,同时能够实现大规模生产。进而有效保证国内功率电子器件、导热、雷达探测等领域对于高质量、大尺寸电子级单晶金刚石的需求,同时满足院校科研对高质量晶种的需求。

值得一提的是,此次研究成果的产业化打破了国外技术垄断,降低了国内相关产业的生产成本,且应用前景十分广阔。随着5G、物联网等新兴技术的快速发展,金刚石在电子、光子、量子等领域的应用需求不断增加。而异质外延单晶金刚石衬底的量产,将为相关产业的发展提供更加稳定、可靠的原材料支持。同时,该成果的推广应用也将带动相关产业链的发展,促进我国经济的转型升级,我们期待着这一技术在未来的更多应用和突破。

西安交大宽禁带半导体材料与器件研究中心于2013年建立,实验室主任为国家级特聘专家王宏兴教授。实验室经过近10年的发展,已形成具有自主知识产权的金刚石半导体外延设备研发、单晶/多晶衬底生长、电子器件研制等系列技术,已获授权48项专利。与国内相关大型通信公司,中国电科相关研究所等开展金刚石半导体材料与器件的广泛合作,促进了金刚石射频功率电子器件、电力电子器件、MEMS等器件的实用性发展。
海光智能科技作为一家半导体金刚石的生产供应商,在半导体行业飞速发展的同时,我们也提供金刚石材料给各大商业客户与学院研究者,为半导体技术和材料的发展贡献一份力量。我们以MPCVD技术为核心,长期致力于高品质金刚石材料及相关装备的研发与制造,拥有先进的MPCVD设备,激光加工设备以及精密抛光设备。

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